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Jul 09, 2023

Transphorm (TGAN): Technologie in Umsatz umwandeln, ein spekulativer Kauf

YouraPechkin/iStock über Getty Images Transphorm, Inc. (NASDAQ:TGAN) wurde 2007 gegründet und ist seit Februar 2020 ein börsennotiertes Unternehmen, das seit Februar 2022 an der NASDAQ gehandelt wird. TGAN gehört zu den führenden Unternehmen

YouraPechkin/iStock über Getty Images

Transphorm, Inc. (NASDAQ:TGAN) wurde 2007 gegründet und ist seit Februar 2020 eine Aktiengesellschaft, die seit Februar 2022 an der NASDAQ gehandelt wird.

TGAN gehört zu den führenden Entwicklern von Galliumnitrid (GaN)-Technologie und Komponenten für die Leistungselektronik, mit Schwerpunkt auf Anwendungen mit höherer Leistung. Sie glauben, dass sie gut aufgestellt sind, um vom langfristigen Wandel von der Silizium- zur GaN-Technologie zu profitieren, und verfügen über ein besonders starkes Patentportfolio.

Sie haben erfolgreich bedeutende Investoren und Partner angezogen und gehalten und echte Produkte in großen Mengen geliefert.

TGAN besitzt und betreibt über ein Joint Venture außerdem eine Anlage zur Herstellung von GaN-Halbleiterwafern, um den eigenen Bedarf zu decken und Wafer kommerziell an andere zu liefern.

Der Umsatz für das Geschäftsjahr 2022 betrug 24 Millionen US-Dollar, ein Anstieg von 89 % gegenüber dem Vorjahr. TGAN strebt in den nächsten fünf Jahren ein CAGR-Umsatzwachstum von 50 % an, um einen adressierbaren Markt von schätzungsweise 6 Milliarden US-Dollar zu erschließen.

TGAN ist mit erheblicher Konkurrenz konfrontiert und muss noch einen positiven Cashflow erzielen, aber für Anleger mit einem Anlagehorizont von mehr als 5 Jahren hat es das Potenzial, weit über dem Markt liegende Renditen zu erzielen.

Ich habe vor ein paar Wochen einen Artikel über Navitas (NASDAQ:NVTS) geschrieben, ein weiteres Unternehmen, das im Bereich der GaN-Leistungselektronik tätig ist und ein direkter TGAN-Konkurrent ist. Aufgrund der Diskussion in den Kommentaren dort habe ich beschlossen, mich auch mit TGAN zu befassen.

Im Vergleich zu Geräten auf Siliziumbasis bieten GaN-Geräte Vorteile wie höhere Schaltgeschwindigkeiten, höhere Durchbruchspannungen und einen geringeren Widerstand. Dies ermöglicht ein effizienteres (bis zu 40 % weniger Energieverschwendung) und kleineres, leichteres, kühleres und letztendlich kostengünstigeres Stromversorgungssystem. Die Einführung von GaN scheint sich an einem Wendepunkt zu befinden und wird voraussichtlich ein schnelles Wachstum verzeichnen.

In diesem Artikel besprechen wir die bisherige Transphorm-Geschichte, Technologie, Herstellung, Zielmärkte, Finanzstatus, Wettbewerber, Bewertung, Risiken und einige Auswirkungen für Investoren. Ihre letzte Investorenpräsentation vom Mai 2022 ist hier.

TGAN ist ein Halbleiterunternehmen, das 2007 von den Gründern Professor Umesh Mishra (heute 64) und Dr. Primit Parikh (51) gegründet wurde.

Zuvor waren sie 1996 Mitbegründer von Nitres, Inc., das GaN-LEDs und Transistoren entwickelte und im Jahr 2000 von Cree [jetzt Wolfspeed (NYSE:WOLF)] übernommen wurde; Dies ist nicht ihr erstes Rodeo.

Transphorm fusionierte am 12. Februar 2020 mit der Peninsula Acquisition Corporation, wobei Transphorm der verbleibende Name ist. Es scheint, dass es sich bei der Fusion eher um einen Mechanismus zur Umwandlung in eine Aktiengesellschaft als um ein Finanzierungsinstrument handelte; Der 10-K-Wert von Peninsula vom 30. Juni 2019 ergab ein Vermögen von 2.475 US-Dollar.

Wenn Sie wirklich ins Detail gehen wollen, finden Sie hier ein paar hundert Seiten mit entsprechenden Verträgen mit vielen Details.

Ursprünglich außerbörslich gehandelt, begann TGAN am 22. Februar 2022 mit dem Handel an der NASDAQ und schloss bei 6,92 $.

Ihr Slide-Deck vom Januar 2021 bietet einen Überblick über ihre Pläne und Prognosen zu diesem Zeitpunkt, siehe hier.

Zum 31. März 2022 beschäftigte TGAN insgesamt 108 Mitarbeiter, davon 88 in den USA. Beachten Sie, dass TGAN im April 2021 das Geschäftsjahresende auf den 31. März geändert hat, was Sie unten wiederholt sehen werden.

Im Jahr 2014 gründete TGAN Transphorm Japan, eine hundertprozentige Tochtergesellschaft, und schloss eine Partnerschaftsvereinbarung mit Fujitsu Limited und Fujitsu Semiconductor Limited „FSL“.

Im Zusammenhang mit dieser Vereinbarung ging TGAN eine Fertigungspartnerschaft für AFSW ein, die 6-Zoll-Siliziumwafer-Fertigungsanlage von FSL in Aizu Wakamatsu, Japan. TGAN erwarb außerdem ein Patentportfolio von FSL und eine Lizenz für ein separates Portfolio von Fujitsu.

AFSW GaN Semiconductor Fab (Semiconductor Today)

Im Jahr 2017 entwickelte sich diese Vereinbarung zu einem Joint Venture mit FSL für AFSW, an dem TGAN einen Anteil von 49 % hielt.

Im Dezember 2020 schloss TGAN eine Joint-Venture-Vereinbarung (siehe Vertrag hier) mit JCP Capital Management, LLC Limited (kontrollierende Partei mit 75 % der Anteile zum 31. März 2022) zur Gründung von GaNovation Pte. Ltd., ein Joint-Venture-Unternehmen in Singapur, das sich mit dem Vertrieb, der Entwicklung und der Lieferung von GaN-Produkten sowie allen Geschäften im Zusammenhang mit den Geschäften von AFSW befasst.

Zu diesem Zeitpunkt wurde GaNovation TGANs exklusiver Vertriebspartner im Großraum China mit dem Recht, verarbeitete GaN-Wafer und andere Komponenten von TGAN zu beziehen, bei TGAN gekaufte verpackte Produkte umzubenennen und weiterzuverkaufen sowie gemeinsam vereinbarte Produkte anzupassen und zu entwickeln.

Im August 2021 erwarb GaNovation AFSW vom Joint Venture TGAN-FSL, beendete damit den Besitz von FSL und reduzierte den TGAN-Anteil auf 25 %. Weitere Einzelheiten zu diesem Angebot finden Sie in diesem Artikel von Semiconductor Today.

Zum 31. März 2022 ist AFSW das Hauptgeschäft von GaNovation und TGAN hält einen Anteil von 25 % an GaNovation.

Im Jahr 2015 tätigte KKR Phorm Investors LP, eine Tochtergesellschaft von Kohlberg Kravis Roberts & Co. LP, eine Investition von 70 Millionen US-Dollar, um die Kommerzialisierung bestehender GaN-Stromversorgungsprodukte zu unterstützen. Zum 31. März 2022 ist Phorm der größte Aktionär von TGAN.

Im Jahr 2017 ging TGAN eine Partnerschaft mit der YASKAWA Electric Corporation of Japan (OTCPK:YASKY) ein, einem weltweit führenden Anbieter von Bewegungssteuerungsprodukten und Industrierobotern.

Im Oktober 2017 lieh Yaskawa TGAN 15,0 Millionen US-Dollar und wandelte im Oktober 2021 die Schulden in Eigenkapital um und erhielt 3.120.000 Stammaktien.

Im Dezember 2020 stimmte Yaskawa zu, über einen Zeitraum von drei Jahren 4,0 Millionen US-Dollar bereitzustellen, um Entwicklungen zur Unterstützung industrieller Stromumwandlungsanwendungen zu finanzieren, wobei der Schwerpunkt zunächst auf maßgeschneiderten GaN-Geräten für Servomotorantriebe liegt. Bis zum 31. März 2022 hat Yaskawa 1,8 Millionen US-Dollar dieser Zusage bereitgestellt.

Nexperia ist ein Hersteller von Halbleiterkomponenten mit Hauptsitz in den Niederlanden und führend bei Halbleitern für Automobilprodukte. Früher Teil von NXP Semiconductor, ist es eine Tochtergesellschaft des chinesischen Unternehmens Wingtech Technology, das sich zu etwa 30 % in Staatsbesitz befindet.

Im Jahr 2018 schloss TGAN eine fünfjährige mehrstufige Kooperationsvereinbarung mit Nexperia mit dem Ziel, eine zweite Quelle (Nexperias Hamburger Fabrik) für GaN-Produkte zu etablieren und sich besser zu positionieren, um langfristig mit GaN-Produkten in den Automobilmarkt einzudringen.

Dazu gehörte eine Kombination aus Kapitalbeteiligung, einem Darlehensvertrag, Technologieentwicklungsprojekten und der Lizenzierung des Wafer-Herstellungsprozesses und bestimmter Produkte von TGAN; TGAN sicherte sich eine Finanzierung von ca. 25 Millionen US-Dollar von Nexperia.

Im Mai 2021 wurde die Vereinbarung im Hinblick auf eine längerfristige Lieferbeziehung mit Nexperia geändert.

Im Jahr 2020 knüpfte TGAN eine Beziehung mit Marelli, einem großen Automobilzulieferer, der aus Fiat hervorgegangen ist, zur langfristigen Entwicklung von Produkten für das Energiemanagement und Wechselrichter für die Automobilindustrie. Berichten zufolge wird Marelli, das seit 2018 im Besitz von KKR ist, ab Dezember 2021 umstrukturiert. Bis zum 31. März 2022 hat Marelli 5 Millionen US-Dollar an Kapitalinvestitionen in TGAN getätigt.

TGAN versteht sich als Technologie- und Marktführer im Bereich der GaN-Leistungselektronik für Hochspannungs-Leistungsumwandlungsanwendungen.

Im Vergleich zu Geräten auf Siliziumbasis bieten GaN-Geräte Vorteile wie höhere Schaltgeschwindigkeiten, höhere Durchbruchspannungen und einen geringeren Widerstand. Dies ermöglicht ein effizienteres (bis zu 40 % weniger Energieverschwendung) und kleineres, leichteres, kühleres und letztendlich kostengünstigeres Stromversorgungssystem.

TGAN ist vertikal integriert; Dazu gehören Gerätedesign, GaN-Materialwachstum, Geräteherstellung, Verpackung, Schaltungsdesign und Anwendungsunterstützung.

TGAN hat seine Produkte im Laufe der Jahre weiterentwickelt, mit Gen-1 und Gen-2 vor 2016, Gen-3 im Jahr 2018, Gen-4 im Jahr 2020 und dem aktuellen Gen-5 SuperGaNTM.

Die FET-Produkte von TGAN unterstützen derzeit bis zu 900 Volt, wobei ein 1200-Volt-Gerät demonstriert wurde. Aktuelle Produkte unterstützen Anwendungen von 30 Watt bis 30 kWatt und sind in PQFN-Gehäusen für geringere Leistung sowie TO- und oberflächenmontierbaren äquivalenten Gehäusen erhältlich.

Sie behaupten, eine Reihe von Branchenmeilensteinen erreicht zu haben, darunter den ersten:

TGAN verfügt über ein großes Portfolio an geistigem Eigentum mit Zugriff auf über 1.000 weltweite Patente in den Bereichen Materialien, Geräte, Herstellung, Schaltkreise, Anwendungen und Verpackung (siehe Tabelle unten). Der Wert der eigenen und exklusiv lizenzierten Patente wird auf über 200 Millionen US-Dollar geschätzt.

200.000 $ Jahresgebühr + Lizenzgebühr

Über ihr Joint Venture GaNovation (siehe oben) besitzt und betreibt TGAN eine Wafer-Entwicklungs- und Produktionsanlage, AFSW, in Aizu Wakamatsu, Japan.

In dieser vollständig abgeschriebenen 6-Zoll-Produktionsanlage werden seit 2012 GaN-Prozesse ausgeführt, mit kommerzieller Produktion seit 2015. Anschließend wurden alle Produktionswafer für den internen Gebrauch oder Verkauf von AFSW bezogen.

AFSW hat eine Kapazität von 14.000 Wafern pro Monat. Die Kapazität könnte durch zusätzliche Kapitalinvestitionen erhöht werden.

Die Nachbearbeitung, Verpackung und Prüfung wird an Subunternehmer vergeben und an verschiedenen Standorten in Asien durchgeführt. Mehrere Standorte produzieren PQFN-Pakete, ein Standort produziert TO247-, TO220- und D2Pak-Pakete.

Im Juni 2022 verhandelte TGAN mit GlobalWafers Co., Ltd. in Taiwan einen Herstellungs- und Liefervertrag für GWC zur Herstellung von GaN-Produkten (siehe den Vertrag mit einigen Schwärzungen hier).

TGAN identifiziert zwei Geschäftssegmente: GaN-Stromversorgungsprodukte und GaN-Epi-Wafer.

Die ersten Zielmärkte von TGAN für GaN-Stromversorgungsprodukte konzentrierten sich auf Bereiche mit einem Bedarf an höherer Spannung und Leistung, in denen die intrinsischen Vorteile von GaN gegenüber Silizium zu erheblichen Effizienzsteigerungen führen, z. B. Elektrofahrzeuge.

Möglicherweise spiegelt die Technologieorientierung von TGAN wider, dass sie ihre Märkte nach Leistungsniveaus organisieren.

Design-Ins > 55

in Produktion > 20

Design-Ins >35

in der Produktion > 15

TGAN schätzt den Markt für GaN-Leistungshalbleiter im Jahr 2023 auf 4,5 Milliarden US-Dollar und wächst auf 8,6 Milliarden US-Dollar im Jahr 2026. Der gesamte adressierbare Markt für GaN wird im Jahr 2023 1,8 Milliarden US-Dollar betragen und im Jahr 2026 auf 6,0 Milliarden US-Dollar anwachsen. Beachten Sie, dass fast die Hälfte des TAM im Jahr 2026 ausmacht von Elektrofahrzeugen, dem Markt mit höherer Leistung, auf den sich TGAN konzentriert hat. Auf jeden Fall gibt es viel Raum für Wachstum.

Leistungshalbleitermarkt (Transphorm)

Dieser Artikel in Power Electronics vom Oktober 2021 befasst sich mit GaN in der Leistungselektronik im Allgemeinen und in Elektrofahrzeugen im Besonderen (Abbildung unten), und dieser Artikel in Charged enthält Einzelheiten zu den Auswirkungen der Umstellung von 400 V auf 800 V für Batteriepakete von Elektrofahrzeugen.

GaN im Automobilmarkt (Leistungselektronik)

Im mittleren Leistungsmarkt nennt TGAN ein Beispiel für seinen Erfolg mit Corsair, einem führenden Anbieter von Hochleistungs-Gaming-Geräten, der seine AX1600i-Serie von 1600-Watt-GaN-basierten Netzteilen erfolgreich eingeführt hat. Anandtech überprüfte das Produkt im Jahr 2018 und kam zu dem Schluss:

Die Teile aus Galliumnitrid (GaN) sind kleiner, leichter und deutlich effizienter als ihre klassischen Gegenstücke auf Siliziumbasis. Ihr Einsatz ermöglichte es Flextronics (und letztendlich Corsair), eine Plattform zu entwickeln, die eine bessere Gesamtleistung und eine höhere Leistung in einem kleineren Gehäuse vereint. Das Endergebnis ist ein Netzteil, das nicht größer ist als die meisten 800-W-Designs und dennoch in der Lage ist, die doppelte Leistung zu liefern, ohne mit der Wimper zu zucken. GaN-Teile sind wesentlich teurer als ihre siliziumbasierten Gegenstücke, aber die Kosten des Endprodukts wurden teilweise durch die Reduzierung der Größe und des Kühlbedarfs ausgeglichen, sodass Corsair den Preis des AX1600i auf einem relativ vernünftigen Niveau halten konnte.

Ein wichtiges Fachgebiet und ein zweiter Geschäftsbereich sind GaN-Epiwafer (GaN auf Silizium und anderen Substraten) für den HF-/Mikrowellen-/Millimeterwellenmarkt und „bestimmte strategische Kunden“ im Energiemarkt. Ziel ist es, ein in den USA ansässiger Lieferant für fortschrittliche GaN-Epiwafer-Produkte sowohl für das US-Verteidigungsministerium als auch für kommerzielle Anwendungen zu sein.

Im Juni 2019 übte das Office of Naval Research eine Option in Höhe von 15,9 Millionen US-Dollar auf einen Basisvertrag über 2,6 Millionen US-Dollar aus, wobei die Arbeiten voraussichtlich bis Juni 2022 abgeschlossen sein werden. Das Microwave Journal berichtet, dass „Transphorm durch das ONR-Programm die Epi-Fähigkeit auf mehreren Plattformen etablieren wird.“ , einschließlich SiC-, Si- und Saphirsubstrate von 4 bis 6 Zoll – letztendlich 8 Zoll. Für HF- und mmWave-Anwendungen wird Transphorm ein „reiner“ Epiwafer-Lieferant von GaN-Materialien sein.“

Am 12. Oktober 2021 erhielt TGAN von der Defense Advanced Research Projects Agency einen Auftrag über 1,4 Millionen US-Dollar für die Herstellung von GaN auf Saphirwafern, wobei die Transistorfertigung an die UC Santa Barbara vergeben wurde. EE Power berichtet, dass das Ziel darin besteht, die Leistung und Kosten des Baus von HF-Komponenten für militärische und kommerzielle Zwecke zu bewerten.

Umesh Mishra, CTO und Mitbegründer von Transphorm, sagte:

Der Vertrag ist eine Gelegenheit für das Unternehmen, seine Position als Premium-HF-Epiwafer-Anbieter, seine zweite Geschäftssparte, auszubauen.

Das Ziel besteht nun darin, diese Grundlage zu nutzen und es unseren HF-Epi-Kunden zu ermöglichen, effizientere HF-Leistung für den Dollar zu erhalten.

TGAN liefert GaN-Epiwafer auf verschiedenen Substraten, darunter Siliziumkarbid, Saphir und Silizium, mit einem Durchmesser von 4 bis 6 Zoll für die Märkte für HF-/Mikrowellen-/Millimeterwellengeräte.

Sie weisen darauf hin, dass sie als reine Epiwafer-Gießerei für diese Märkte fungieren, da sie keine HF-Geräteprodukte herstellen. Epiwafer-Verkäufe wurden an Kunden des Verteidigungsministeriums und an Nexperia getätigt.

TGAN hat geschätzt, dass die Epiwafer-Komponente etwa 15–20 % des 800 Millionen US-Dollar schweren GaN-HF-Marktes für Militär und Telekommunikation ausmacht, also potenziell 120–160 Millionen US-Dollar, was als Maximum bei einem Marktanteil von 100 % angesehen werden könnte. Es gibt andere Wettbewerber auf diesem Markt, und ich habe keine Daten zu deren aktuellen oder prognostizierten Marktanteilen gefunden.

TGAN war für den Großteil seines Umsatzes auf einige wenige Kunden angewiesen.

Drei Kunden – Nexperia BV, die US-Regierung und ein weiterer ausländischer Kunde – machten zusammen 78,1 % des Umsatzes für das am 31. März 2022 endende Jahr aus. Jeder dieser drei Kunden machte mehr als zehn Prozent des Umsatzes aus.

TGAN hat seit seiner Gründung jedes Jahr einen Nettoverlust erwirtschaftet. Die AFSW-Waferfertigungsanlage hat während der gesamten Beteiligung von TGAN mit Verlust gearbeitet und wird dies voraussichtlich auch weiterhin tun. TGAN zahlt derzeit keine Dividenden und wird dies auch nicht erwarten.

Die finanziellen Highlights aus der Gewinnveröffentlichung und Telefonkonferenz vom 24. Mai 2022 sowie der Folienpräsentation (beachten Sie, dass das gesamte Geschäftsjahr nun am 31. März 2022 endet); Non-GAAP:

und haben:

und erwarten oder zielen:

Als TGAN am 12. Februar 2020 an die Börse ging, wurden rund 28.200.000 TGAN-Aktien an verschiedene Aktionäre des Vorläuferunternehmens ausgegeben. Die Aktionäre von Peninsula Acquisition erhielten 1.650.000 Aktien. TGAN identifizierte eine Reihe nachfolgender Privatplatzierungen, bei denen 23,1 Millionen Aktien verkauft und 99,7 Millionen US-Dollar eingenommen wurden, von denen einige identifiziert werden können.

Unmittelbar nach der Fusion mit Peninsula Acquisition Corp. nahm Transphorm 21,5 Millionen US-Dollar an Private-Equity-Finanzierungen auf, angeführt von bestehenden Investoren, darunter einer Tochtergesellschaft von Kohlberg Kravis Roberts & Co LP (KKR), einem neuen strategischen Investor Marelli und neuen institutionellen Investoren, wie berichtet hier 04. März 2020 von Semiconductor Today.

Der TGAN-Vollmachtgeber vom 24. November 2021 stellt fest, dass am 19. November 2021 51.393.770 Stammaktien im Umlauf waren und die Hauptaktionäre (> 5 %) wirtschaftliche Eigentümer von 84,1 % waren, und zwar:

Transphorm-Aktienbesitz (Transphorm)

Die Fußnoten finden Sie im Proxy. Darüber hinaus waren die leitenden Angestellten und Direktoren als Gruppe wirtschaftliche Eigentümer von etwa 1,6 Millionen Aktien oder 3 %.

Am 13. Juni 2022 reichte TGAN eine Regalregistrierung ein, die den möglichen Weiterverkauf von rund 3,9 Millionen Aktien durch derzeitige Inhaber abdeckt, wie unten beschrieben.

Transphorm-Regalregistrierung (Transphorm)

TGAN hat Wettbewerber auf dem Leistungselektronikmarkt identifiziert, sortiert nach der in ihren Produkten verwendeten Technologie. Sie beinhalten:

TGAN geht davon aus, dass ältere Si-Produkte derzeit für einige Komponenten einen doppelten Kostenvorteil bieten könnten. Bei hoher Spannung (1200 Volt oder mehr) bietet SiC derzeit einige Leistungsvorteile. Die Differenzierung zu anderen GaN-Wettbewerbern erfolgt durch Qualität, Zuverlässigkeit, Benutzerfreundlichkeit und Preis.

Für das GaN-Episode-Wafer-Geschäft wurden keine spezifischen Wettbewerber identifiziert, der Schwerpunkt liegt hier jedoch darauf, ein in den USA ansässiger Anbieter für sowohl militärische als auch kommerzielle HF-Märkte zu sein.

Für eine mögliche Wertermittlung können wir auf der Rückseite des Umschlags einen Kostenvoranschlag erstellen. Annehmen:

Was denken die Profis? Sie haben in den letzten Jahren viele Aktien im Wert von 4 bis 5 US-Dollar an anspruchsvolle Anleger verkauft, wobei jede Tranche ihre Werteinschätzung widerspiegelte. Laut Stock Analysis liegt das mittlere 12-Monats-Kursziel von 10 Analysten bei 9,18 US-Dollar.

Mehrere potenzielle Risiken für die Anlagethese verdienen Erwähnung.

TGAN hat wahrscheinlich genug Bargeld; Stand: 3. Juni etwa 45 Millionen US-Dollar an Barmitteln, eine aktuelle Burn-Rate von 4 Millionen US-Dollar pro Quartal und das Ziel, im Jahr 2024 einen positiven Cashflow zu erzielen. Sie könnten jedoch überfordert sein, auf Probleme oder Chancen zu reagieren, ohne zusätzliche Barmittel aufzubringen.

Nexperia, TGANs größter Kunde, könnte ebenfalls ein direkter Konkurrent sein oder werden. Neben 15.000 anderen Halbleiterprodukten verkauft Nexperia seit mindestens 2020 Hochleistungs-GaN-FETs. Im November 2021 stellte Nexperia ein 35-kW-GaN-Leistungsmodul für Elektrofahrzeuge vor, das gemeinsam mit Shanghai Automotive Electric Drive Co., LTD entwickelt wurde.

TGAN ist geopolitischen Risiken ausgesetzt, ähnlich wie andere Unternehmen, deren Geschäftsschwerpunkt in China liegt oder die von China kontrolliert werden.

Da der Markt für Leistungselektronik für Elektrofahrzeuge wächst, dürfte dies zu einem intensiven Wettbewerb führen, der die Margen schmälern und es schwieriger machen könnte, Marktanteile zu gewinnen und zu halten.

Transphorm scheint über hervorragende technische Fähigkeiten, eine starke Patentposition und eine 15-jährige Geschichte zu verfügen und hat erfolgreich bedeutende Investoren und Partner angezogen und gehalten. Sie haben echte Produkte in großen Mengen geliefert.

Wie ihre Konkurrenten sehen sie eine große Chance in der Anwendung der GaN-Technologie im Bereich der Leistungselektronik.

Sie haben GaN-Produkten mit höherer Leistung Priorität eingeräumt und scheinen bei der Markteinführung dieser Produkte einen Vorsprung zu haben. Auf dem sehr volumenstarken Markt für Ladegeräte mit geringerer Leistung scheinen sie aufzuholen.

Ihr Wafer-Geschäft wird sich auf längere Sicht möglicherweise nicht als finanziell bedeutsam erweisen und könnte sogar eine Ablenkung sein.

Meine ganzheitliche Einschätzung ist, dass GaN-Produkte, da sie einen größeren Marktanteil in der Leistungselektronik erobern, zu einem immer attraktiveren Übernahmekandidaten für eines der größeren Unternehmen – Infineon, Nexperia, Texas Instruments (TXN) – werden, die Marktanteile oder Technologie anstreben.

Für Anleger mit einem Anlagehorizont von mehr als 5 Jahren besteht meines Erachtens eine überdurchschnittliche Chance, dass TGAN zu aktuellen Preisen Renditen abwirft, die über dem Markt liegen.

Ich persönlich besitze jetzt eine kleine Position in TGAN und habe eine größere Limit-Order zu einem Preis unter dem aktuellen Preis. Ich betrachte dies als eine spekulative Investition mit einer Laufzeit von mehr als 10 Jahren und einer potenziellen 6- bis 10-fachen Rendite im Laufe der Zeit.

Dieser Artikel wurde geschrieben von

Offenlegung des Analysten: Ich/wir haben eine vorteilhafte Long-Position in den Aktien von TGAN, entweder durch Aktienbesitz, Optionen oder andere Derivate. Ich habe diesen Artikel selbst geschrieben und er drückt meine eigene Meinung aus. Ich erhalte dafür keine Vergütung (außer von Seeking Alpha). Ich stehe in keiner Geschäftsbeziehung zu einem Unternehmen, dessen Aktien in diesem Artikel erwähnt werden. Dies ist keine Empfehlung zum Kauf oder Verkauf dieser Aktie. Ich bin kein Buchhalter oder Anlageberater. Dieser Artikel dient der Information von Interessenten und stellt keine Empfehlung zum Kauf oder Verkauf der genannten Wertpapiere dar. Da ich keine Kenntnisse über die Umstände, Ziele und/oder Portfoliokonzentration oder -diversifizierung einzelner Anleger habe, wird von den Lesern erwartet, dass sie vor einer Investition ihre eigene Due-Diligence-Prüfung durchführen.

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